屏蔽栅MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET， SGT)功率器件栅电极，下半部分是屏蔽栅电极。

CoolSemi的SGT-MOSFET功率器件采用超深沟槽设计，屏蔽栅于源极短接，屏蔽掉了大部分Qgd电荷，大大降低器件的米勒电容，有效提升器件的开关速度，开关损耗更低，沟槽深度加深降低导通电阻，导通损耗更低。